低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现

作     者：石艳玲 忻佩胜 邵丽 游淑珍 朱自强 赖宗声 

作者机构：华东师范大学电子科学技术系上海200062 

基　　金：国家"973"计划 (No .G19990 3310 5) 国家杰出青年基金 (批准号 :6 99754 0 9) 上海应用材料研究与发展基金 (No .0 10 3)资助项目~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第9期

页      码：994-998页

摘      要：在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导 ,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较 .采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线 ,并通过关键的混合腐蚀技术制备了 50Ω和 1 2 0Ω两种特性阻抗的传输线 .由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底 ,使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善 .实验中 ,使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了 1GHz到 40GHz频段的参数测试 ,利用多线分析技术对测试结果进行了分析 .结果表明在微结构悬浮后共平面波导的损耗特性有了大幅度的降低 ,30GHz处插入损耗约为 7dB/cm ,较腐蚀前降低了 1 0dB/cm .

主 题 词：共平面波导 低阻硅衬底 微机械加工技术 插入损耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2003.09.021

馆 藏 号：203613630...