ISM频段中功率功率放大器(英文)

作     者：白大夫 刘训春 袁志鹏 钱永学 Bai Dafu;Liu Xunchun;Yuan Zhipeng;Qian Yongxue

作者机构：中国科学院微电子研究所 

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2004年第25卷第6期

页      码：626-632页

摘      要：采用三指单胞的InGaP/GaAsHBT提取的大信号模型参数 ,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器 .通过对传统偏置网络的优化 ,消除了小信号下的增益压缩 .在 3 5V电压下 ,该放大器的最大线性输出功率为30dBm ,增益达到 2 9 1dB ,对应的功率附加效率为 4 3 4 % ,临近沟道抑制比达到 - 10 0dBc,而静态偏置电流很低 ,只有 10 9 7mA .

主 题 词：异质结双极型晶体管 功率放大器 偏置网络 增益压缩 静态偏置电流 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2004.06.003

馆 藏 号：203613872...