CCD MPP结构制作工艺技术研究

作     者：雷仁方 杜文佳 李睿智 郑渝 翁雪涛 李金 LEI Ren-fang;DU Wen-jia;LI Rui-zhi;ZHENG Yu;WENG Xue-tao;LI Jin

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

基　　金：中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术基金项目(2008625101G04) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2009年第30卷第6期

页      码：867-869页

摘      要：在1024×1024可见光电荷耦合器件(CCD)的基础上增加了MPP(Multi-Pinned Phase)结构设计和工艺制作。制得的1024×1024可见光MPP CCD实现了MPP功能,有效抑制了CCD表面暗电流的产生。当MPP注入剂量为(6±2)×1011cm-2时,其暗电流密度下降了2/3,满阱电荷下降了1/2。

主 题 词：CCD MPP 暗电流密度 满阱电荷 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2009.06.019

馆 藏 号：203617092...