具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT

作     者：金冬月 胡瑞心 张万荣 高光渤 王肖 付强 赵馨仪 江之韵 JIN Dong-yue;HU Rui-xin;ZHANG Wan-rong;GAO Guang-bo;WANG Xiao;FU Qiang;ZHAO Xin-yi;JIANG Zhi-yun

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 美国International Rectifier公司加利福尼亚州90245 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61006059) 北京市自然科学基金资助项目(4143059) 

出 版 物：《北京工业大学学报》 (Journal of Beijing University of Technology)

年 卷 期：2015年第41卷第9期

页      码：1321-1325页

摘      要：为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然较低,不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增益影响不大但与器件击穿电压密切相关,在采用虚拟衬底结构的同时,对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场,进而提高击穿电压.结果表明:与传统的SiGe HBT相比,新器件的电流增益和击穿电压均得到显著改善,其优值β·V_(CEO)。改善高达14.2倍,有效拓展了微波功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.

主 题 词：应变Si/SiGe HBT 选择性注入集电区 击穿电压 电流增益 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.11936/bjutxb2014110046

馆 藏 号：203617108...