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新型带清零的半静态D触发器芯片设计

新型带清零的半静态D触发器芯片设计

作     者:赵俊霞 朱巧艳 Zhao Junxia;Zhu Qiaoyan

作者机构:三江学院 南京拓微集成电路有限公司 

出 版 物:《电子世界》 (Electronics World)

年 卷 期:2012年第7期

页      码:147-149页

摘      要:为了提高D触发器的速度、降低功耗、缩小面积,本文对常用D触发器进行分析,综合各自优缺点,优化最高频率,设计出一款新型带清零的半静态D触发器,采用华润上华0.6μmN阱CMOS工艺,版图面积为46.500×40.350(μm)。该触发器的最高频率为356MHz,运用她构成二分频器并仿真成功。

主 题 词:D触发器 半静态 清零 版图 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1003-0522.2012.07.056

馆 藏 号:203617439...

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