集成电路用磷铜阳极及相关问题研究

作     者：高岩 王欣平 何金江 刘宏宾 江轩 蒋宇辉 

作者机构：北京有色金属研究总院北京100088 有研亿金新材料股份有限公司北京102200 

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2011ZX02705-004) 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2011年第20卷第11期

页      码：64-69,79页

摘      要：随着半导体技术的发展,铜互联技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,铜互连采用双大马士革工艺(Dual Damascene)进行电镀。集成电路用磷铜阳极在电镀过程中起着至关重要的作用,本文系统分析了磷铜阳极中磷的含量、铜的纯度、晶粒尺寸和氧含量等对集成电路电镀性能的影响。

主 题 词：集成电路 电镀 磷铜 阳极 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-5289.2011.11.057

馆 藏 号：203617941...