Mg2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算

作     者：陈茜 谢泉 闫万珺 杨创华 赵凤娟 

作者机构：贵州大学新型光电子材料与技术研究所贵州大学电子科学与信息技术学院贵阳550025 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60566001) 贵州市科学技术局大学生创业科技项目(稿号:6-5) 贵州省研究生创新基金(编号:省研理工2007003) 

出 版 物：《中国科学（G辑）》 (SCIENCE IN CHINA(SERIES G))

年 卷 期：2008年第38卷第7期

页      码：825-833页

摘      要：采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994eV;其价带主要由Si的3p以及Mg的3s,3p态电子构成,导带主要由Mg的3s,3p以及Si的3p态电子构成;静态介电常数ε1(0)=18.89;折射率n0=4.3460;吸收系数最大峰值为356474.5cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果,为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。

主 题 词：Mg2Si 第一性原理 电子结构 光学性质 

学科分类：07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203617975...