基于准浮栅技术的超低压运算放大器

作     者：杨银堂 任乐宁 付俊兴 YANG Yin-tang;REN Le-ning;FU Jun-xing

作者机构：西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90207022) 

出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)

年 卷 期：2005年第32卷第4期

页      码：501-503,527页

摘      要：分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62,°单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45μW.

主 题 词：准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-2400.2005.04.003

馆 藏 号：203619289...