用于130nm/90nm新工艺开发的铜CMP阻挡层磨料系统(英文)

作     者：Christine Ye Michael Oliver John Quanci Matt VanHanehem 无 

作者机构：Rodel有限公司PhoenixAZUSA Ray Lavoie Rodellnc.PhoenixAZ Introduction 

出 版 物：《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)

年 卷 期：2003年第32卷第6期

页      码：22-25页

摘      要：通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比。实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方。这种方法的优点是,如果改变集成方法或特殊膜层,可以很快地重新优化磨料。如SiN膜取代TEOW淀积氧化物膜,对新系统可以容易地重新优化磨料。介绍了几种磨料组分浓度的去除速率和选择比。

主 题 词：新工艺术开发 铜CMP 磨料系统 选择比 去除速率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203623999...