GaAs/GaAlAs集成外腔激光器的模式谱分析

作     者：高伟 谭叔明 庄婉如 

作者机构：北方交通大学物理系 中国科学院半导体研究所 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：1989年第10卷第2期

页      码：15-19页

摘      要：本文利用单 FP(Fabry—Perot)腔激光器的理论,并用有效反射率方法,通过计算机数值计算和作图,简单、清晰、明了地解决了集成外腔结构的 GaAs/GaAlAs激光器的模式谱问题,并给出了实验设计方案。与众多的理论分析方法相比,这种方法具有简明、精确、直观的优点。

主 题 词：光集成 激光器 模式谱 集成外腔 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.1989.02.003

馆 藏 号：203624197...