高压VDMOS电容的研究

作     者：刘侠 孙伟锋 王钦 杨东林 LIU Xia;SUN Wei-feng;WANG Qin;YANG Dong-lin

作者机构：东南大学集成电路学院 东南大学国家ASIC工程技术研究中心 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2007年第30卷第3期

页      码：783-786页

摘      要：本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈电容较低的VDMOS新单元结构,在相同的尺寸条件下,新结构单元Qg*Rdson的优值较之传统型设计显著下降.

主 题 词：VDMOS 电容 导通电阻 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.014

馆 藏 号：203624776...