基于GaAs光导开关的纳秒脉冲源设计

作     者：姜苹 谢卫平 李洪涛 袁建强 刘宏伟 刘金锋 赵越 JIANG Ping;XIE Wei-ping;LI Hong-tao;YUAN Jian-qiang;LIU Hong-wei;LIU Jin-feng;ZHAO Yue

作者机构：中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳621900 

出 版 物：《信息与电子工程》 (information and electronic engineering)

年 卷 期：2012年第10卷第6期

页      码：744-747,770页

摘      要：以高密度聚乙烯介质平板型B线为储能器件,设计了一台层叠Blumlein传输线型脉冲功率源。以GaAs PCSS为开关,通过4级B线层叠结构实现电压倍增。单级B线阻抗25Ω,时间常数2.5 ns,功率源总阻抗100Ω。Pspice模拟表明:随着开关导通电阻上升,输出电压脉冲幅度下降,脉宽增大;随着开关转换时间增长,输出脉冲延迟时间上升,前、后沿时间增长。采用波长为1 064 nm,能量为30 mJ,脉宽为5 ns的Nd:YAG激光器触发光导开关,当充电25 kV时,负载上得到电压38 kV,上升沿1.4 ns,脉冲约5 ns的近似方波输出。

主 题 词：GaAs光导开关 层叠B线 脉冲充电 纳秒激光 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203627179...