非晶硅锗电池性能的调控研究

作     者：刘伯飞 白立沙 魏长春 孙建 侯国付 赵颖 张晓丹 Liu Bo-Fei;Bai Li-Sha;Wei Chang-Chun;Sun Jian;Hou Guo-Fu;Zhao Ying;Zhang Xiao-Dan

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 

基　　金：国家重点基础研究计划(批准号:2011CBA00706 2011CBA00707) 国家高技术研究发展计划(批准号:2013AA050302) 天津市科技支撑项目(批准号:12ZCZDGX03600) 天津市重大科技支撑计划(批准号:11TXSYGX22100) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20120031110039)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2013年第62卷第20期

页      码：536-541页

摘      要：采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了非晶硅锗薄膜太阳电池.针对非晶硅锗薄膜材料的本身特性,通过调控硅锗合金中硅锗的比例,实现了对硅锗薄膜太阳电池中开路电压和短路电流密度的分别控制.借助于本征层硅锗材料帯隙梯度的设计,获得了可有效用于多结叠层电池中的非晶硅锗电池.

主 题 词：非晶硅锗薄膜太阳电池 短路电流密度 开路电压 带隙梯度 

学科分类：0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.62.208801

馆 藏 号：203627518...