一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型

作     者：胡志富 崔玉兴 杜光伟 方家兴 武继斌 蔡树军 Hu Zhifu;Cui Yuxing;Du Guangwei;Fang Jiaxing;Wu Jibin;Cai Shujun

作者机构：河北半导体所石家庄050051 专用集成电路重点实验室石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2014年第39卷第9期

页      码：671-673,698页

摘      要：基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善,但也增加了建模的复杂度。采用分布式建模技术,为鱼骨型器件建立了一种分布式等效电路模型,模型在1~20 GHz内与实测S参数吻合较好,表明分布式建模技术可以用于准确地模拟鱼骨型GaN HEMT器件的高频特性。

主 题 词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 模型 鱼骨型 分布式 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.007

馆 藏 号：203628056...