SiC BJT的新型高速低损驱动电路设计

作     者：刘清 秦海鸿 余俊月 李友 文谦 LIU Qing;QIN Haihong;YU Junyue;LI You;WEN Qian

作者机构：南京航空航天大学自动化学院南京210016 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51677089) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NS2015039 NS20160047) 江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目(SJ LX16_0107) 

出 版 物：《电源学报》 (Journal of Power Supply)

年 卷 期：2019年第17卷第2期

页      码：178-184页

摘      要：SiC BJT新型器件是IGBT器件的有力竞争对手,由于SiC BJT是电流型器件,设计适应于SiC BJT的电流型驱动电路非常重要。针对传统双电源阻容RC(resistance-capacitance)驱动电路的不足,设计了一种双电源阻性时序驱动电路。该驱动电路由开通支路、稳态支路和关断支路3个支路组成,通过延时电路产生不同的驱动信号,分别控制3个驱动支路。该结构可以解决传统RC驱动电路的占空比问题和驱动振荡问题,和传统RC驱动电路相比较,其驱动损耗减小很多。为了验证新驱动电路的优势,对两种驱动电路分别进行LTSPICE仿真,并制作了对应的驱动样板,仿真和实验结果验证了所提出方案的良好驱动性能。

主 题 词：SiC BJT 驱动电路 高速低损耗 阻容基极驱动电路 阻性时序基极驱动电路 

学科分类：0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.13234/j.issn.2095-2805.2019.2.178

馆 藏 号：203629730...