RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制

作     者：梁惠来 郭维廉 宋瑞良 齐海涛 张世林 胡留长 李建恒 毛陆虹 商跃辉 冯震 田国平 李亚丽 Liang Huilai;Guo Weilian;Song Ruiliang;Qi Haitao;Zhang Shilin;Hu Liuchang;Li Jianheng;Mao Luhong;Shang Yuehui;Feng Zhen;Tian Guoping;Li Yali

作者机构：天津大学电子信息工程学院天津300072 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第10期

页      码：1594-1598页

摘      要：对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.

主 题 词：RTT RTD HEMT 跨导截止频率 电流峰谷比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.10.019

馆 藏 号：203640291...