NIST揭示硅材料中的疲劳效应

作     者：Christina Nickolas 

出 版 物：《今日电子》 (Electronic Products)

年 卷 期：2008年第2期

页      码：31-31页

摘      要：美国国家标准和技术研究所（NIST）的研究人员开发了一种机械应力工艺，该工艺可以使块状硅晶体产生裂纹。在这之前，人们一直认为硅不受这类故障的影响。结果显示，这种工艺将普遍影响被认为具有广泛应用的硅基MEMS器件的设计。

主 题 词：硅材料 疲劳效应 NIST 美国国家标准 MEMS器件 机械应力 研究人员 工艺 

学科分类：080903[080903] 0401[教育学-教育学类] 04[教育学] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 040102[040102] 

馆 藏 号：203640389...