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飞兆半导体率先突破1mΩ最大RDS(ON)障碍

飞兆半导体率先突破1mΩ最大RDS(ON)障碍

作者机构:《电子与封装》编辑部 

出 版 物:《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期:2009年第9卷第9期

页      码:48-48页

摘      要:飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON)低于1mQ的30V MOSFET器件,采用Power56封装,型号为FDMS7650。FDMS7650可以用作负载开关或ORing FET,为服务器中心(serverfarm)在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性,可降低功耗和提高效率,以提升服务器中心的总体效率。

主 题 词:RDS(ON) 飞兆半导体公司 MOSFET器件 刀片式服务器 负载开关 设计人员 路由器 多电源 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号:203641088...

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