逆变器中高频漏电处理探讨

作     者：曹宏达 

作者机构：浙江巨磁智能技术公司 

出 版 物：《中国太阳能工程》 (china solar engineering)

年 卷 期：2019年第1期

页      码：26-29页

摘      要：前言近年来,分布式逆变器持续火热,包括IGBT、SiC、GaN等核心材料的相对成熟,功率密度要求不断上升,逆变器的单机功率千瓦数也因此不断得以提高。占居市场主流的逆变器,功率已经从50~60kW过渡至70~80kW,单机功率上百千瓦的逆变器也已蓄势待发,随时准备走向市场。单机功率的增大,逆变器的整体设计变得十分严格。

主 题 词：逆变器 电处理 中高频 单机功率 功率密度 IGBT 分布式 SiC 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203641203...