高功率、长寿命GaAs光电导开关

作     者：杨宏春 崔海娟 孙云卿 曾刚 吴明和 

作者机构：电子科技大学物理电子学院成都610054 

基　　金：国家自然科学基金(10804016) 瞬态光学与光子技术国家重点实验室基金(YAK200501)资助项目 

出 版 物：《科学通报》 (Chinese Science Bulletin)

年 卷 期：2010年第55卷第16期

页      码：1618-1625页

摘      要：通过改进GaAs光导开关衬底材料研制工艺、机械结构设计、欧姆电极研制工艺、绝缘封装工艺和脉冲电源馈电方式,研制了3mm异面电极的GaAs光导开关.在56.12μJ光能激励、1kHz重频、15kV偏压、50?负载实验条件下,测得光导开关使用寿命超过3.6×106次,输出电脉冲峰值功率2MW、脉冲宽度2ns、触发抖动方均根值为65ps;最高工作电场达到100kV/cm,对应峰值功率达到10MW;实验还给出了光导开关电压转换效率、触发抖动随偏压升高的测试结果;考虑GaAs对1064nm光吸收系数随电场的变化,定量分析了光导开关电压转换效率随偏压变化的实验现象.

主 题 词：光导开关 高功率 长寿命 触发抖动 光吸收系数 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.1360/csb2010-55-16-1618

馆 藏 号：203641381...