宽温高频高反压沟道基区晶体管研制

作     者：丛众 吴春瑜 王荣 石广元 闫东梅 张雯 朱肖林 汪永生 Cong Zhong;Wu Chunyu;Wang Rong;Shi Guangyuan;Yan Dongmei;Zhang Wen;Zhu XiaoLin;Wang Yongsheng

作者机构：辽宁大学电子科学与工程系 成都星光电工厂 

基　　金：电子工业部科技开发项目 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：1999年第27卷第5期

页      码：53-55页

摘      要：耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃，器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．

主 题 词：耗尽基区 静电感应 本征栅 双极晶体管 BSIT 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.1999.05.016

馆 藏 号：203641569...