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分布式多元胞集成半导体放电管的设计与工艺

分布式多元胞集成半导体放电管的设计与工艺

作     者:唐政维 徐佳 张志华 左娇 谢欢 罗嵘 TANG Zhengwei;XU Jia;ZHANG Zhihua;ZUO Jiao;XIE Huan;LUO Rong

作者机构:重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 

基  金:重庆市科技攻关计划资助项目(CSTC2010AC2142) 

出 版 物:《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期:2012年第42卷第5期

页      码:721-724页

摘      要:介绍了一种分布式多元胞集成半导体放电管的结构设计和工艺方法。在保持传统单元胞放电管器件表面总面积和放电管纵向剖面NPNPN五层结构不变的情况下,将放电管发射区等分成2(N+1)2个(N取0,1,2,3,4),构成在基区中心对称的多元胞结构。该结构优化了放电管阴极发射区的分布,使浪涌电流在整个芯片平面上趋于均匀,降低了发射区的热量集中效应;同时增加了电流放大系数,减少了放电管的开通时间。采用镓扩散、玻璃钝化等工艺流程,制作出分布式多元胞集成半导体放电管,解决了单元胞放电管散热不均匀、响应速度慢及可靠性差的问题。雷电波冲击电流测试表明,该结构提高了器件的抗电涌能力,可广泛应用于通信领域的雷电防护。

主 题 词:放电管 半导体器件 多元胞 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D O I:10.3969/j.issn.1004-3365.2012.05.028

馆 藏 号:203642507...

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