双量子阱中光子辅助电子自旋隧穿

作     者：李春雷 徐燕 张燕翔 叶宝生 

作者机构：首都师范大学初等教育学院微尺度功能材料实验室北京100048 

基　　金：国家自然科学基金专项基金(批准号:11147198)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2013年第62卷第10期

页      码：374-379页

摘      要：采用单电子有效质量近似理论,Floquet理论和传递矩阵方法,对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究,对InP/InAs半导体材料进行了数值计算.重点研究了Rashba型和Dresselhaus型自旋轨道耦合、量子阱结构以及偏压对电子隧穿的影响.这些结果可以为设计和调控半导体自旋电子器件提供一定的理论依据.

主 题 词：光子辅助隧穿 隧穿概率 量子阱 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.62.107301

馆 藏 号：203642749...