0．13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现

作     者：吕灵娟 刘汝萍 林敏 杨根庆 邹世昌 L(U) Lingjuan;LIU Ruping;LIN Min;YANG Genqing;ZOU Shichang

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2014年第34卷第3期

页      码：273-279页

摘      要：基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。

主 题 词：0 13μm抗辐射绝缘体上硅互补金属氧化物半导体 标准单元库 建库流程 测试芯片 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

馆 藏 号：203643236...