单片Si-FED的结构和设计

作     者：范忠 李琼 徐静芳 茅东升 

作者机构：华东师范大学电子科学技术系上海200062 中科院上海冶金所离子束开放实验室上海200050 

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(69671011) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2001年第27卷第5期

页      码：50-54页

摘      要：根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。

主 题 词：场发射显示器 干法刻蚀 离子注入 硅 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2001.05.014

馆 藏 号：203643283...