半导体中的谷间电子转移和体振荡

作     者：薛舫时 

作者机构：南京电子器件研究所江苏南京210016 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2002年第39卷第6期

页      码：5-11页

摘      要：从GaAs/AlAs量子阱的量子限制、能带混合和隧穿共振中发现了新的异质谷间转移电子效应。用它制成了定位精度高的高效谷间电子布居控制极。把这种控制极设置于耿氏有源层的阴极端,消除了器件中的死区,抑制了强场畴,产生高效的电场弛豫振荡模。通过长有源层样品的模拟设计,发现了新的触发多电子束弛豫振荡模,实现了体振荡。模拟设计得出在20～25GHz频段能获得50W以上的脉冲振荡输出,效率大于40%。

主 题 词：半导体 谷间电子转移 体振荡 异质谷间转移电子效应 高效大功率体振荡 电场弛豫振荡模 多电子束弛豫振荡模 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2002.06.002

馆 藏 号：203643391...