优化偏置点的SiGe功率放大器设计

作     者：孙凯 郝明丽 陈延湖 SUN Kai;HAO Mingli;CHEN Yanhu

作者机构：山东大学信息科学与工程学院济南250100 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家科技02重大专项基金项目(2011ZX02506-003) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2015年第38卷第6期

页      码：1257-1261页

摘      要：采用0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,设计了应用于2.4 GHz频段无线局域网的功率放大器。着重测试分析了偏置点对放大器输出信号误差矢量幅度和效率的影响。发现通过优化偏置点,可提高功率放大器的最大线性输出功率和效率。电路采用三级单端放大结构,集成了偏置电路、输入匹配和级间匹配电路。在优化的偏置点下测试表明,在2.45 GHz频率处增益为26.6 d B,1 d B压缩点处输出功率为23.6 d Bm。对于IEEE 802.11 g 54 Mbit/s的调制信号,误差矢量幅度为5.6%时,线性输出功率达到16.6 d Bm。

主 题 词：射频功率放大器 偏置点优化 误差矢量幅度测试 SiGe BiCMOS 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2015.06.010

馆 藏 号：203643996...