1.8V 5.2GHz差分结构CMOS低噪声放大器

作     者：李竹 陈志恒 王志功 

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2004年第27卷第1期

页      码：72-74,142页

摘      要：无线接收机小型化及低成本的发展趋势,要求人们解决高集成度及低功率的问题,从而推动了将射频部分与基带电路部分实现单版集成的研究,我们给出了利用0.18μm CMOS工艺设计的5.2GHz低嗓声放大器。在1.8V电压下,工作电流为24mA增益15.8dB噪声系数为1.4dB。

主 题 词：CMOS工艺 低噪声放大器 集成螺旋电感 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2004.01.019

馆 藏 号：203644666...