一种低相位噪声LC压控振荡器的设计与实现

作     者：常昌远 王绍权 陈瑶 余东升 Chang Changyuan;Wang Shaoquan;Chen Yao;Yu Dongsheng

作者机构：东南大学集成电路学院南京210096 

基　　金：国家核高基资助项目(2009ZX01031) 

出 版 物：《东南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southeast University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2012年第42卷第6期

页      码：1052-1057页

摘      要：基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计并实现了一种用于锁相环(PLL)频率合成器中的低相位噪声LC压控振荡器.这种压控振荡器采用互补交叉耦合差分结构,利用开关电容阵列技术增大频率调谐范围,并结合大滤波电容、二次谐波谐振滤波网络、开关电容阵列和偏置滤波网络来降低相位噪声.采用TSMC 0.35μm CMOS工艺完成前仿真、版图设计与后仿真,芯片面积为1 285.3μm×1 162.7μm.流片测试结果显示,LC压控振荡器的频率调谐范围为1.558～2.065 GHz,调谐范围高达28%,中心频率处的相位噪声为-133.3 dBc/Hz@1 MHz,综合性能指数为-183.3 dBc/Hz.由此表明,所设计的压控振荡器具有比较优异的综合性能.

主 题 词：LC压控振荡器 相位噪声 开关电容阵列 CMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0505.2012.06.006

馆 藏 号：203648185...