4～8GHz宽带单片集成低噪声放大器设计

作     者：俞汉扬 陈良月 李昕 杨涛 高怀 

作者机构：东南大学集成电路学院江苏南京210096 苏州英诺迅科技有限公司 苏州市射频功率器件与电路工程技术研究中心江苏苏州215123 

出 版 物：《电子科技》 (Electronic Science and Technology)

年 卷 期：2011年第24卷第12期

页      码：38-41页

摘      要：基于0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款C波段宽带单片集成低噪声放大器。电路由三级放大器级联而成,三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底上,解决了供电复杂的问题。第三级电路采用了并联负反馈结构,降低了带内低频端增益,提高了高频端增益,从而改善了增益平坦度。利用微波仿真软件AWR对电路进行了仿真和优化,结果显示,在4～8 GHz频带内,噪声系数<1.4 dB,增益达23±0.5 dB,输入输出驻波比<2.0∶1。

主 题 词：自偏置 低噪声放大器 PHEMT 单片微波集成电路 C波段 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-7820.2011.12.013

馆 藏 号：203648254...