基于氮化硅的压力传感器以及算法补偿

作     者：王奇 赵湛 曾欢欢 方震 张博军 WANG Qi;ZHAO Zhan;ZENG Huan-huan;FANG Zhen;ZHANG Bo-jun

作者机构：中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室 

基　　金：国家自然科学基金课题资助(90207006) 中国科学院微系统创新项目资助 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2006年第29卷第3期

页      码：726-729页

摘      要：MEMS技术制造的传感器具有体积小、重量轻、成本低等特点。用于测量大气气压的传感器,主要材料是硅、氮化硅和铂金,氮化硅薄膜形成了传感器的主要结构。这种压力传感器与一般传感器相比具有结构简单、工艺易于实现以及精度高等优点。设计了工艺过程,制作了器件样片,并算法补偿了温度对传感器的影响。

主 题 词：MEMS 压力传感器 氮化硅 温度 补偿 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.029

馆 藏 号：203648259...