基于NAND Flash的海量存储器的设计

作     者：舒文丽 吴云峰 孙长胜 吴华君 唐斌 SHU Wenli;WU Yunfeng;SUN Changsheng;WU Huajun;TANG Bin

作者机构：电子科技大学光电信息学院成都610051 

基　　金：四川省应用基础研究项目(2009JY0054) 2010年度"富通"翱翔计划项目(FTAX201007) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2012年第35卷第1期

页      码：107-110页

摘      要：针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。

主 题 词：NAND Flash 海量存储 并行操作 坏块管理 ECC校验 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2012.01.025

馆 藏 号：203648259...