适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析

作     者：张国艳 廖怀林 黄如 Mansun CHAN 张兴 王阳元 

作者机构：北京大学微电子学研究所北京100871 香港科技大学电子工程系 

基　　金：国家自然科学基金 (No .6991 0 1 61 992 ) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2002年第30卷第2期

页      码：232-235页

摘      要：本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .

主 题 词：场效应晶体管 数模混合集成 失真分析 SOI MOSFET 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.021

馆 藏 号：203648264...