基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源

作     者：曹寒梅 杨银堂 蔡伟 陆铁军 王宗民 Cao Han-mei;Yang Yin-tang;Cai Wei;Lu Tie-jun;Wang Zong-min

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 北京微电子技术研究所北京100076 

基　　金：国家自然科学基金(60476046 60676009)资助课题 

出 版 物：《电子与信息学报》 (Journal of Electronics & Information Technology)

年 卷 期：2008年第30卷第6期

页      码：1517-1520页

摘      要：该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15～70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz^1MHz频带内的总的输出噪声电压为148.7μV/sqrt(Hz)。

主 题 词：带隙电压基准源 负反馈箝位 温度稳定性 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3724/sp.j.1146.2007.00886

馆 藏 号：203648267...