CMOS工艺下的温度检测电路的设计

作     者：陈良生 洪志良 闵昊 李联 Chen Liangsheng;HONG Zhiliang;MIN Hao;LI Lian

作者机构：复旦大学信息科学与工程学院微电子系上海200433 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2005年第25卷第2期

页      码：231-234页

摘      要：介绍一种在CMOS工艺条件下,温度检测电路的实现方案,对温度检测的原理进行了深入分析,通过具体的电路设计验证了实现方案的可行性。电路在HHNECCZ6H工艺上流片。测试结果表明电路性能稳定可靠,提出的方案切实可行。电路可在-50°C到100°C范围内测温,精度可达正负3°C。

主 题 词：互补金属氧化物半导体 温度检测 集成电路设计 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2005.02.019

馆 藏 号：203648486...