碲镉汞焦平面器件CMOS读出电路的发展

作     者：王忆锋 钱明 WANG Yi-feng;QIAN Ming

作者机构：昆明物理研究所云南昆明650223 

出 版 物：《红外》 (Infrared)

年 卷 期：2011年第32卷第7期

页      码：1-8页

摘      要：通过对近年来的部分文献资料进行归纳分析,介绍了碲镉汞焦平面器件CMOS读出电路(ROIC)的发展动态。讨论了读出电路的有关概念。列出了部分前放电路的单元结构,并分析了它们的工作特点。介绍了积分时间、积分电容以及多路传输等因素对读出电路设计的影响。

主 题 词：碲镉汞 红外探测器 读出电路 CMOS 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-8785.2011.07.001

馆 藏 号：203648730...