短波长OEIC光接收机前端设计及制作

作     者：范超 陈堂胜 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂 FAN Chao;CHEN Tangsheng;CHEN Chen;JIAO Shilong;CHEN Zhenlong;LIU Lin;WANG Yulin;YE Yutang

作者机构：电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 

基　　金：单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助项目(9140C1406020708) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2008年第38卷第5期

页      码：713-717页

摘      要：基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。

主 题 词：光电集成电路 光接收机前端 PIN 金属-半导体-金属 跨阻放大器 分布参数放大器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203649285...