多晶硅微型电极阵列的研制

作     者：吴英 江永清 温志渝 张正元 WU Ying;JIANG Yong-qing;WEN Zhi-yu;ZHANG Zheng-yuan

作者机构：重庆科技学院 重庆光电技术研究所重庆400060 重庆大学光电工程学院重庆400044 

基　　金：重庆市自然科学基金资助项目 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2005年第26卷第4期

页      码：317-319页

摘      要：讨论了pn结对制作硅微电极阵列的局限性,提出了一种在沟道侧壁制作多晶硅电极阵列的设计和制作方法。实验结果表明,利用该方法研制的微电极阵列不仅克服了pn结的影响,能够为MEMS芯片器件提供所需的工作电压,而且也为一些小型化电极的设计及研制提供了新的思路和方法。

主 题 词：MEMS 微型电极阵列 多晶硅 

学科分类：0808[工学-自动化类] 070207[070207] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.013

馆 藏 号：203655114...