CMOS 0.13 μm共面波导建模与特性分析

作     者：陈勖 王志功 李智群 夏峻 CHEN Xu;WANG Zhigong;LI Zhiqun;XIA Jun

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2006年第26卷第4期

页      码：485-489页

摘      要：基于TSMC0．13μm CMOS工艺，对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究。在分析中引入了保角映射等数值方法，给出了有效介电常数εeff、特征阻抗Z、单位电容C等传输线指标随几何参数变化的计算公式。并设计了特征阻抗分别为50Ω和70Ω的共面波导传输线元件库。采用Short—Open—Load—Thru（SOLT）校准测试技术对片上传输线元件库进行测试。在0．1～40GHz范围内，测试结果与数值分析解吻合。这为在硅基上进行RFIC设计提供了一个合理选取传输线结构的方法。

主 题 词：共面波导 互补金属氧化物半导体 低阻硅 散射参数 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2006.04.013

馆 藏 号：203655489...