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基于边界扫描技术和Tcl语言的DualSRAM测试设计

基于边界扫描技术和Tcl语言的DualSRAM测试设计

作     者:王凤驰 胡丙华 Wang Fengchi;Hu Binghua

作者机构:中国电子科技集团电子第三十八研究所安徽合肥230031 

出 版 物:《电子测试》 (Electronic Test)

年 卷 期:2009年第20卷第6期

页      码:29-32页

摘      要:集成电路(IC)的迅猛发展促进了测试技术的研究和发展,支持IEEE1149.1标准的边界扫描芯片的广泛应用,使得边界扫描测试技术日益被重视。Tcl语言是一种简明、高效、移植性强的语言,它与边界扫描技术的结合,扩展了芯片测试技术的应用,使得IC的测试更加灵活。本文以DualSRAM的测试设计为例,介绍了以边界扫描技术为基础的Tcl语言的应用,同时根据测试开发中遇到的问题,提出了一些可测性设计(DFT)的建议。

主 题 词:边界扫描 Tcl语言 DualSRAM测试 DFT 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0835[0835] 081202[081202] 0812[工学-测绘类] 

D O I:10.3969/j.issn.1000-8519.2009.06.007

馆 藏 号:203656400...

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