自蔓延高温合成法(SHS)制备SiC颗粒

作     者：梁艳峰 董晟全 杨通 Liang Yanfeng;Dong Shengquan;Yang Tong

作者机构：西安工业大学材料与化工学院 

基　　金：陕西省教育厅专项科研计划项目(09JK486) 西安工业大学校长科研基金(XAGDXJJ0909) 

出 版 物：《特种铸造及有色合金》 (Special Casting & Nonferrous Alloys)

年 卷 期：2011年第31卷第1期

页      码：73-75,106-107页

摘      要：通过SEM、XRD手段对(Si-C-Ti)粉末压块的高温自蔓延反应进行了研究,获得了SiC颗粒。设计压块为内外两层,外层是Ti粉和石墨粉(C),摩尔比为1:1,内层是Si粉和石墨粉,摩尔比也为1:1。结果表明,可以利用压块外层Ti-C反应生成TiC放出的热量引发内层Si-C反应生成SiC颗粒。当外层粉末与内层粉末的质量比为4:1,加热温度为1050℃时,内层Si粉与C粉可以充分反应生成SiC颗粒。

主 题 词：粉末压块 高温自蔓延反应 SiC颗粒 

学科分类：0806[工学-电气类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3870/tzzz.2011.01.024

馆 藏 号：203657045...