GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路

作     者：曾庆明 徐晓春 刘伟吉 李献杰 敖金平 王全树 郭建魁 赵永林 揭俊锋 ZENG Qing-ming;XU Xiao-chun;LIU Wei-ji;LI Xian-jie;AO Jin-ping;WANG Quan-shu;GUO Jian-Kui;ZHAO Yong-Lin;JIE Jun-feng

作者机构：信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室石家庄050051 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2000年第6卷第3期

页      码：201-204页

摘      要：叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。

主 题 词：GaAs HBT 微波单片集成电路 直接耦合 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.018

馆 藏 号：203658157...