用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS

作     者：陈正才 周淼 洪根深 高向东 苏郁秋 何逸涛 乔明 肖志强 CHEN Zhengcai;ZHOU Miao;HONG Genshen;GAO Xiangdong;SU Yuqiu;HE Yitao;QIAO Ming;XIAO Zhiqiang

作者机构：中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2013年第13卷第6期

页      码：38-42页

摘      要：文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明,薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件,成功研制出200 V高压电平位移电路。

主 题 词：LDMOS 薄层SOI 多阶场板 场注技术 高压电平位移电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2013.06.010

馆 藏 号：203658227...