非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响

作     者：刘伯飞 白立沙 张德坤 魏长春 孙建 侯国付 赵颖 张晓丹 Liu Bo-Fei;Bai Li-Sha;Zhang De-Kun;Wei Chang-Chun;Sun Jian;Hou Guo-Fu;Zhao Ying;Zhang Xiao-Dan

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00706 2011CBA00707) 国家高技术研究发展计划(批准号:2013AA050302) 天津市科技支撑项目(批准号:12ZCZDGX03600) 天津市重大科技支撑计划项目(批准号:11TXSYGX22100) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20120031110039)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2013年第62卷第24期

页      码：366-372页

摘      要：针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率.进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%.

主 题 词：非晶硅缓冲层 非晶硅锗薄膜太阳电池 带隙 界面 

学科分类：0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.62.248801

馆 藏 号：203658435...