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基于二次规划的光刻机光源优化方法

基于二次规划的光刻机光源优化方法

作     者:闫观勇 李思坤 王向朝 Yan Guanyong;Li Sikun;Wang Xiangzhao

作者机构:中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室上海201800 中国科学院大学北京100049 

基  金:国家自然科学基金(61275207 61205102) 

出 版 物:《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期:2014年第34卷第10期

页      码:249-256页

摘      要:提出一种基于二次规划的光刻机光源优化方法。采用空间像与目标像的图形误差为目标函数,根据空间像强度与不同位置的点光源之间的线性关系,将光源优化转换成二次规划问题。将掩模图形区域分成限制区域和比较区域,对限制区域应用约束条件,对比较区域采用目标函数优化。采用一维孤立空图形和二维接触孔阵列图形对该方法进行验证,分析光刻胶阈值和离焦量对优化结果的影响。仿真表明,提出的光源优化方法获得了光源的全局最优解,提高了光刻成像质量,增大了工艺窗口。

主 题 词:光学设计 光刻 分辨率增强 光源掩模优化 光源优化 二次规划 全局最优解 

学科分类:0808[工学-自动化类] 070207[070207] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

D O I:10.3788/aos201434.1022004

馆 藏 号:203658952...

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