飞兆半导体推出全新的40V MOSFET

作     者：江兴 

出 版 物：《半导体信息》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：2003年第6期

页      码：23-23页

摘      要：飞兆半导体针对DC/DC转换推出了5种N沟道40V MOSFET,分别为FDS4770、FDS4470、FDS4780、FDS4480和FDS4672A,为膝上型电脑、电脑VRM、电信、数据通信/路由器及其他便携/手持式设备的电源设计,提供极佳的价格和效能优势。FDS4770的最大R_ds为7.5mΩ,最高结点温度为175℃。这些40V的MOSFET具有增强的抗雪崩能力,能适应恶劣的操作环境。

主 题 词：飞兆半导体 V MOSFET 电源设计 手持式设备 操作环境 上型 低导通电阻 栅极电荷 隔离放大器 瞬态电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203663349...