0.35μmCMOS工艺实现的1.9GHz上变频器

作     者：陈新华 陈志恒 王志功 姚胡静 方芳 谢婷婷 

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

基　　金：国家 8 63资助项目 ( 863-317-0 3-0 4-99) 

出 版 物：《东南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southeast University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2001年第31卷第4期

页      码：10-13页

摘      要：分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法 ,在此基础上设计出了采用标准 0 3 5 μmCMOS工艺的输出频率在 1 9GHz的上变频器 ,它可以用在WCDMA发射 /接收机中 .整个设计利用SPICE软件和HPADS软件进行电路和系统模拟 ,模拟结果 :三阶互调IIP3为 1 0dBm ,转换增益大于 1 0dB .已经利用Cadence工具进行版图设计和验证 ,最后通过美国MOSIS工程流片 .芯片面积大约为 0 6mm2 .目前初步的性能测试已经完成 .芯片混频效果良好 .在单电源 +3 3V供电情况下 ,功耗小于 6 0mW .进一步的测试将在近期完成 .

主 题 词：射频集成电路 模拟CMOS集成电路 混频器 变频器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-0505.2001.04.003

馆 藏 号：203663606...