ARM中常驻RAM的程序设计方法

作     者：梁占峰 杨树军 Liang Zhanfeng;Yang Shujun

作者机构：华东交通大学 

出 版 物：《单片机与嵌入式系统应用》 (Microcontrollers & Embedded Systems)

年 卷 期：2008年第8卷第3期

页      码：67-69页

摘      要：引言过去由于微控制器的寻址空间以及RAM的价格和容量的限制,系统运行后,微控制器不得不频繁地访问ROM读取指令。众所周知,RAM的访问速度比ROM快几倍到十几倍。例如,Atmel公司的AT49BV162(Flash)的访问时间是70ns,三星公司的K6R4016(SDRAM)的访问时间只需10ns左右,二者相差近7倍。随着ARM微控制器的出现,微控制器的运行速度和寻址能力都有所增强。Atmel公司的ARM7微控制器AT91M55800A的指令执行速度可以达到30MHz以上,在访问Flash时,要插入3个等待周期和2个数据浮空输出周期;而访问SDRAM时,则无需插入等待周期和数据浮空输出周期。由此可见,微控制器和SDRAM的访问速度十分接近。通过以上分析可知,提高ROM的访问速度或者将程序加载到RAM中运行,两种方法都可以提高微控制器的工作效率。但是由于ROM的结构和工艺的原因,采用前一种方法所需要的成本和技术难度都远远大于后一种方法。本文通过实例,详细地阐述了如何用ADS1.2实现ARM中常驻RAM的程序设计方法。通过在AT91M55800A上的运行结果,给出了采用此方法后系统性能提高的效果。1常驻RAM程序...

主 题 词：ARM微控制器 程序设计方法 RAM Atmel公司 访问时间 运行速度 寻址空间 三星公司 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1009-623X.2008.03.021

馆 藏 号：203663616...