2.4GHz、增益可控的CMOS低噪声放大器

作     者：黄煜梅 叶菁华 朱臻 洪志良 

作者机构：复旦大学微电子学系上海200433 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2004年第24卷第4期

页      码：498-504页

摘      要：介绍了一种基于 0 35 μmCMOS工艺、2 4GHz增益可控的低噪声放大器。从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度详细分析了电路的设计方法 ,讨论了寄生效应对低噪声放大器性能的影响。仿真结果表明在考虑了高频寄生参数的情况下 ,低噪声放大器依然具有良好的性能指标 :在 2 4GHz工作频率下 ,3dB带宽为 6 6 0MHz,噪声系数NF为 1 5 8dB ,增益S2 1为 14dB ,匹配参数S11约为 - 13 2dB。

主 题 词：互补金氧化物半导体低噪声放大器 噪声系数 阻抗匹配 增益可控 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2004.04.018

馆 藏 号：203663913...