垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

作     者：朱文军 郭霞 廉鹏 邹德恕 高国 沈光地 

作者机构：北京工业大学光电子技术实验室北京100022 

基　　金：国家自然科学基金 国家重点基础研究与发展规划项目 北京市科委高科技资助项目 

出 版 物：《激光技术》 (Laser Technology)

年 卷 期：2003年第27卷第4期

页      码：325-327页

摘      要：通过对一种微分量子效率可以大于 1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器 (VCSELs)结构 ,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较 ,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势。

主 题 词：多有源区 隧道再生 VCSELs DBR反射率 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-3806.2003.04.011

馆 藏 号：203664232...